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2021-2025年中國第三代半導體行業深度調研及投資前景預測報告(上下卷)

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十四五將是中國技術和產業升級的關鍵期,重點機會有哪些?
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報告目錄內容概述 定制報告

第一章 第三代半導體相關概述
1.1 第三代半導體基本介紹
1.1.1 基礎概念界定
1.1.2 主要材料簡介
1.1.3 歷代材料性能
1.1.4 產業發展意義
1.2 第三代半導體產業發展歷程分析
1.2.1 材料發展歷程
1.2.2 產業演進全景
1.2.3 產業轉移路徑
1.3 第三代半導體產業鏈構成及特點
1.3.1 產業鏈結構簡介
1.3.2 產業鏈圖譜分析
1.3.3 產業鏈生態體系
1.3.4 產業鏈體系分工
第二章 2019-2021年全球第三代半導體產業發展分析
2.1 2019-2021年全球第三代半導體產業運行狀況
2.1.1 標準制定情況
2.1.2 國際產業格局
2.1.3 市場發展規模
2.1.4 市場結構分析
2.1.5 新品研發情況
2.1.6 研發項目規劃
2.1.7 應用領域格局
2.1.8 企業發展動態
2.1.9 企業發展布局
2.1.10 企業競爭格局
2.2 美國
2.2.1 研發支出規模
2.2.2 產業技術優勢
2.2.3 技術創新中心
2.2.4 技術研發動向
2.2.5 戰略層面部署
2.3 日本
2.3.1 產業發展計劃
2.3.2 研究成果豐碩
2.3.3 封裝技術聯盟
2.3.4 照明領域狀況
2.3.5 研究領先進展
2.4 歐盟
2.4.1 研發項目歷程
2.4.2 產業發展基礎
2.4.3 前沿企業格局
2.4.4 未來發展熱點
第三章 2019-2021年中國第三代半導體產業發展環境PEST分析
3.1 政策環境(Political)
3.1.1 中央部委政策支持
3.1.2 地方政府扶持政策
3.1.3 重點支持政策解讀
3.1.4 中美貿易摩擦影響
3.2 經濟環境(Economic)
3.2.1 宏觀經濟概況
3.2.2 工業運行情況
3.2.3 經濟結構升級
3.2.4 未來經濟展望
3.3 社會環境(Social)
3.3.1 社會教育水平
3.3.2 知識專利水平
3.3.3 研發經費投入
3.3.4 技術人才儲備
3.4 技術環境(Technological)
3.4.1 專利技術構成
3.4.2 科技計劃專項
3.4.3 國際技術成熟
3.4.4 產業技術聯盟
第四章 2019-2021年中國第三代半導體產業發展分析
4.1 中國第三代半導體產業發展特點
4.1.1 企業以IDM模式為主
4.1.2 制備工藝不追求頂尖
4.1.3 襯底和外延是關鍵環節
4.1.4 各國政府高度重視發展
4.1.5 軍事用途導致技術禁運
4.2 2019-2021年中國第三代半導體產業發展運行綜述
4.2.1 產業發展現狀
4.2.2 產業整體產值
4.2.3 產線產能規模
4.2.4 產業標準規范
4.2.5 國產替代狀況
4.3 2019-2021年中國第三代半導體市場運行狀況分析
4.3.1 市場發展規模
4.3.2 細分市場結構
4.3.3 市場應用分布
4.3.4 企業競爭格局
4.3.5 企業發展布局
4.3.6 產品發展動力
4.4 2019-2021年中國第三代半導體上游原材料市場發展分析
4.4.1 上游金屬硅產能釋放
4.4.2 上游金屬硅價格走勢
4.4.3 上游氧化鋅市場現狀
4.4.4 上游材料產業鏈布局
4.4.5 上游材料競爭狀況分析
4.5 中國第三代半導體產業發展問題分析
4.5.1 產業發展問題
4.5.2 市場推進難題
4.5.3 技術發展挑戰
4.5.4 材料發展挑戰
4.6 中國第三代半導體產業發展建議及對策
4.6.1 產業發展建議
4.6.2 建設發展聯盟
4.6.3 加強企業培育
4.6.4 集聚產業人才
4.6.5 推動應用示范
4.6.6 材料發展思路
第五章 2019-2021年第三代半導體氮化鎵(GAN)材料及器件發展分析
5.1 GaN材料基本性質及制備工藝發展狀況
5.1.1 GaN產業鏈
5.1.2 GaN結構性能
5.1.3 GaN制備工藝
5.1.4 GaN材料類型
5.1.5 技術專利發展
5.1.6 技術發展趨勢
5.2 GaN材料市場發展概況分析
5.2.1 市場發展規模
5.2.2 材料價格走勢
5.2.3 材料技術水平
5.2.4 應用市場結構
5.2.5 應用市場預測
5.2.6 市場競爭狀況
5.3 GaN器件及產品研發情況
5.3.1 器件產品類別
5.3.2 GaN晶體管
5.3.3 射頻器件產品
5.3.4 電力電子器件
5.3.5 器件產品研發
5.4 GaN器件應用領域及發展情況
5.4.1 電子電力器件應用
5.4.2 高頻功率器件應用
5.4.3 器件應用發展狀況
5.4.4 應用實現條件與對策
5.5 GaN器件發展面臨的挑戰
5.5.1 器件技術難題
5.5.2 電源技術瓶頸
5.5.3 風險控制建議
第六章 2019-2021年第三代半導體碳化硅(SIC)材料及器件發展分析
6.1 SiC材料基本性質與制備技術發展狀況
6.1.1 SiC性能特點
6.1.2 SiC制備工藝
6.1.3 SiC產品類型
6.1.4 單晶技術專利
6.1.5 技術發展趨勢
6.2 SiC材料市場發展概況分析
6.2.1 材料價格走勢
6.2.2 材料市場規模
6.2.3 材料技術水平
6.2.4 市場應用結構
6.2.5 市場競爭格局
6.2.6 企業研發布局
6.3 SiC器件及產品研發情況
6.3.1 電力電子器件
6.3.2 功率模塊產品
6.3.3 器件產品研發
6.3.4 產品發展趨勢
6.4 SiC器件應用領域及發展情況
6.4.1 應用整體技術路線
6.4.2 電網應用技術路線
6.4.3 電力牽引應用技術路線
6.4.4 電動汽車應用技術路線
6.4.5 家用電器和消費類電子應用
第七章 2019-2021年第三代半導體其他材料發展狀況分析
7.1、笞宓锇雽w材料發展分析
7.1.1 基礎概念介紹
7.1.2 材料結構性能
7.1.3 材料制備工藝
7.1.4 主要器件產品
7.1.5 應用發展狀況
7.1.6 發展建議對策
7.2 寬禁帶氧化物半導體材料發展分析
7.2.1 基本概念介紹
7.2.2 材料結構性能
7.2.3 材料制備工藝
7.2.4 主要應用器件
7.3 氧化鎵(Ga2O3)半導體材料發展分析
7.3.1 材料結構性能
7.3.2 材料制備工藝
7.3.3 主要技術發展
7.3.4 器件應用發展
7.3.5 未來發展趨勢
7.4 金剛石半導體材料發展分析
7.4.1 材料結構性能
7.4.2 襯底制備工藝
7.4.3 主要器件產品
7.4.4 應用發展狀況
7.4.5 器件研發進展
7.4.6 未來發展前景
第八章 2019-2021年第三代半導體下游應用領域發展分析
8.1 第三代半導體下游產業應用領域發展概況
8.1.1 下游應用產業分布
8.1.2 下游產業優勢特點
8.1.3 下游產業需求旺盛
8.2 2019-2021年電子電力領域發展狀況
8.2.1 全球市場發展規模
8.2.2 國內市場發展規模
8.2.3 國內器件應用分布
8.2.4 國內應用市場規模
8.2.5 器件廠商布局分析
8.2.6 器件產品價格走勢
8.3 2019-2021年微波射頻領域發展狀況
8.3.1 射頻器件市場規模
8.3.2 射頻器件市場結構
8.3.3 射頻器件市場需求
8.3.4 射頻器件價格走勢
8.3.5 國防基站應用規模
8.4 2019-2021年半導體照明領域發展狀況
8.4.1 發展政策支持
8.4.2 行業發展規模
8.4.3 產業鏈條產值
8.4.4 應用市場分布
8.4.5 照明技術突破
8.4.6 照明發展方向
8.4.7 行業發展展望
8.5 2019-2021年半導體激光器發展狀況
8.5.1 市場規,F狀
8.5.2 企業發展格局
8.5.3 應用研發現狀
8.5.4 主要技術分析
8.5.5 未來發展趨勢
8.6 2019-2021年5G新基建領域發展狀況
8.6.1 5G建設進程
8.6.2 應用市場規模
8.6.3 賦能射頻產業
8.6.4 應用發展方向
8.6.5 產業發展展望
8.7 2019-2021年新能源汽車領域發展狀況
8.7.1 行業市場規模
8.7.2 主要應用場景
8.7.3 應用市場規模
8.7.4 企業布局情況
8.7.5 市場需求預測
第九章 2019-2021年第三代半導體材料產業區域發展分析
9.1 2019-2021年第三代半導體產業區域發展概況
9.1.1 產業區域分布
9.1.2 重點區域建設
9.2 京津翼地區第三代半導體產業發展分析
9.2.1 北京產業發展狀況
9.2.2 順義產業扶持政策
9.2.3 保定產業項目動態
9.2.4 應用聯合創新基地
9.2.5 區域未來發展趨勢
9.3 中西部地區第三代半導體產業發展分析
9.3.1 四川產業發展狀況
9.3.2 重慶相關領域態勢
9.3.3 陜西產業發展狀況
9.4 珠三角地區第三代半導體產業發展分析
9.4.1 廣東產業發展政策
9.4.2 廣州市產業支持
9.4.3 深圳產業發展狀況
9.4.4 東莞基地發展建設
9.4.5 區域未來發展趨勢
9.5 華東地區第三代半導體產業發展分析
9.5.1 江蘇產業發展概況
9.5.2 蘇州產業聯盟聚集
9.5.3 山東產業布局動態
9.5.4 福建產業發展狀況
9.5.5 區域未來發展趨勢
9.6 第三代半導體產業區域發展建議
9.6.1 提高資源整合效率
9.6.2 補足SiC領域短板
9.6.3 開展關鍵技術研發
9.6.4 鼓勵地方加大投入
第十章 2017-2020年第三代半導體產業重點企業經營狀況分析
10.1 三安光電股份有限公司
10.1.1 企業發展概況
10.1.2 業務布局動態
10.1.3 經營效益分析
10.1.4 業務經營分析
10.1.5 財務狀況分析
10.1.6 核心競爭力分析
10.1.7 公司發展戰略
10.1.8 未來前景展望
10.2 北京賽微電子股份有限公司
10.2.1 企業發展概況
10.2.2 相關業務布局
10.2.3 經營效益分析
10.2.4 業務經營分析
10.2.5 財務狀況分析
10.2.6 核心競爭力分析
10.2.7 公司發展戰略
10.2.8 未來前景展望
10.3 華潤微電子有限公司
10.3.1 企業發展概況
10.3.2 經營效益分析
10.3.3 業務經營分析
10.3.4 財務狀況分析
10.3.5 核心競爭力分析
10.3.6 公司發展戰略
10.3.7 未來前景展望
10.4 湖北臺基半導體股份有限公司
10.4.1 企業發展概況
10.4.2 經營效益分析
10.4.3 業務經營分析
10.4.4 財務狀況分析
10.4.5 核心競爭力分析
10.4.6 公司發展戰略
10.4.7 未來前景展望
10.5 華燦光電股份有限公司
10.5.1 企業發展概況
10.5.2 經營效益分析
10.5.3 業務經營分析
10.5.4 財務狀況分析
10.5.5 核心競爭力分析
10.5.6 公司發展戰略
10.5.7 未來前景展望
10.6 聞泰科技股份有限公司
10.6.1 企業發展概況
10.6.2 經營效益分析
10.6.3 業務經營分析
10.6.4 財務狀況分析
10.6.5 核心競爭力分析
10.6.6 公司發展戰略
10.6.7 未來前景展望
10.7 株洲中車時代電氣股份有限公司
10.7.1 企業發展概況
10.7.2 2018年企業經營狀況分析
10.7.3 2019年企業經營狀況分析
10.7.4 2020年企業經營狀況分析
第十一章 中投顧問對第三代半導體產業投資價值綜合評估
11.1 行業投資背景
11.1.1 行業投資規模
11.1.2 投資項目分布
11.1.3 投資市場周期
11.1.4 行業投資前景
11.2 行業投融資情況
11.2.1 國際投資案例
11.2.2 國內投資案例
11.2.3 國際企業并購
11.2.4 國內企業并購
11.2.5 企業融資動態
11.3 行業投資壁壘
11.3.1 技術壁壘
11.3.2 資金壁壘
11.3.3 貿易壁壘
11.4 行業投資風險
11.4.1 企業經營風險
11.4.2 技術迭代風險
11.4.3 行業競爭風險
11.4.4 產業政策變化風險
11.5 行業投資建議
11.5.1 積極把握5G通訊市場機遇
11.5.2 收購企業實現關鍵技術突破
11.5.3 關注新能源汽車催生需求
11.5.4 國內企業向IDM模式轉型
11.5.5 加強高校與科研院所合作
11.6 投資項目案例
11.6.1 項目基本概述
11.6.2 投資價值分析
11.6.3 建設內容規劃
11.6.4 資金需求測算
11.6.5 實施進度安排
11.6.6 經濟效益分析
第十二章 2021-2025年中投顧問對第三代半導體產業前景與趨勢預測
12.1 第三代半導體未來發展趨勢
12.1.1 產業成本趨勢
12.1.2 未來發展趨勢
12.1.3 應用領域趨勢
12.2 第三代半導體未來發展前景
12.2.1 重要發展窗口期
12.2.2 產業應用前景
12.2.3 產業發展機遇
12.2.4 產業市場機遇
12.2.5 產業發展展望
12.3 中投顧問對2021-2025年中國第三代半導體行業預測分析
12.3.1 2021-2025年中國第三代半導體行業影響因素分析
12.3.2 2021-2025年中國第三代半導體材料市場規模預測
附錄
附錄一:新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策
附錄二:關于促進中關村順義園第三代半導體等前沿半導體產業創新發展的若干措施

圖表目錄

圖表1 不同半導體材料性能比較(一)
圖表2 不同半導體材料性能比較(二)
圖表3 碳化硅、氮化鎵的性能優勢
圖表4 半導體材料發展歷程及現狀
圖表5 第三代半導體產業演進示意圖
圖表6 第三代半導體產業鏈
圖表7 第三代半導體襯底制備流程
圖表8 第三代半導體產業鏈全景圖
圖表9 第三代半導體健康的產業生態體系
圖表10 2016-2018年全球第三代半導體材料市場規模與增長
圖表11 2018年全球第三代半導體材料市場結構
圖表12 2017-2020年全球在售SiC、GaN器件及模塊產品數量(款)
圖表13 2018年各國/組織第三代半導體領域研發項目(一)
圖表14 2018年各國/組織第三代半導體領域研發項目(二)
圖表15 2018年各國/組織第三代半導體領域研發項目(三)
圖表16 全球第三代半導體產業格局
圖表17 美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員(一)
圖表18 美國下一代功率電子技術國家制造業創新中心組成成員(二)
圖表19 日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員(一)
圖表20 日本下一代功率半導體封裝技術開發聯盟成員(二)
圖表21 歐洲LAST POWER產學研項目成員
圖表22 “十三五”期間中國第三代半導體支持政策匯總(一)
圖表23 “十三五”期間中國第三代半導體支持政策匯總(二)
圖表24 2018年地方政府第三代半導體產業支持政策匯總(一)
圖表25 2018年地方政府第三代半導體產業支持政策匯總(二)
圖表26 2019年地方政府第三代半導體產業支持政策匯總(一)
圖表27 2019年地方政府第三代半導體產業支持政策匯總(二)
圖表28 《重點新材料首批次應用示范指導目錄(2019版)》中第三代半導體相關內容
圖表29 《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》中第三代半導體相關內容
圖表30 2019年中國GDP初步核算數據
圖表31 2016-2020年國內生產總值及增速
圖表32 2016-2020年三次產業增加值占國內生產總值比重
圖表33 2020年GDP初步核算數據
圖表34 2019年主要工業產品產量及其增長速度
圖表35 2016-2020年全部工業增加值及其增長速度
圖表36 2020年主要工業產品產量及其增長速度
圖表37 2016-2020年普通本?、中等職業教育及普通高中招生人數
圖表38 2019年專利申請、授權和有效專利情況
圖表39 2016-2020年研究與試驗發展(R&D)經費支出及其增長速度
圖表40 2020年專利申請、授權和有效專利情況
圖表41 國內高校、研究所與企業的技術合作與轉化
圖表42 2019年第三代半導體領域全球專利技術構成
圖表43 2018年度國家重點研發計劃重點專項
圖表44 2019年正在實施的第三代半導體國家重點研發計劃重點專項
圖表45 中國第三代半導體產業技術創新戰略聯盟發起單位
圖表46 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)
圖表47 全球推動第三代半導體產業和技術發展的國家計劃
圖表48 《中國制造2025》第三代半導體相關發展目標
圖表49 中方收購國外半導體企業情況
圖表50 2016-2020年中國GaN微波射頻產業產值及增速
圖表51 2016-2020年中國SiC、GaN電力電子產業產值及增速
圖表52 2019年中國主要企業SiC、GaN產能
圖表53 第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準列表
圖表54 2016-2019年中國第三代半導體襯底材料市場規模與增長
圖表55 2019年中國第三代半導體襯底材料市場結構
圖表56 2019年中國SiC、GaN電力電子器件市場應用領域分布
圖表57 襯底研發重點企業盤點
圖表58 國內部分涉及第三代半導體上市公司的產業布局情況(一)
圖表59 國內部分涉及第三代半導體上市公司的產業布局情況(二)
圖表60 2019-2020年中國金屬硅產量統計
圖表61 2019-2020年中國金屬硅表觀消費量統計
圖表62 2017-2021年金屬硅價格走勢情況
圖表63 氮化鎵產業鏈主要的國際競爭廠商(一)
圖表64 氮化鎵產業鏈主要的國際競爭廠商(二)
圖表65 氮化鎵產業鏈主要的國際競爭廠商(三)
圖表66 氮化鎵產業鏈國內主要企業
圖表67 GaN產業鏈
圖表68 GaN原子結構
圖表69 典型GaN HEMT結構
圖表70 GaN制備流程
圖表71 HVPE系統示意圖
圖表72 GaN外延生長常用方法示意圖
圖表73 氮化鎵制備技術專利發展路線
圖表74 氮化鎵外延技術專利發展路線
圖表75 2019-2030年我國第三代半導體GaN材料關鍵技術發展路線表
圖表76 2016-2019年中國GaN襯底市場規模及增速
圖表77 中國GaN材料下游應用市場結構
圖表78 GaN功率器件應用領域與市場份額
圖表79 氮化鎵產業國內外主要廠商布局
圖表80 GaN半導體器件類別及應用
圖表81 GaN器件主要產品
圖表82 Cascode GaN晶體管
圖表83 EPC的電氣參數
圖表84 LGA封裝示意圖
圖表85 國際上已經商業化的RF GaN HEMT性能
圖表86 2018年國際企業推出GaN射頻晶體管產品
圖表87 2018年國際上已經商業化的RF GaN功率放大器性能
圖表88 2018年國際主流廠商商業化RF GaN功率放大器性能(@中國5G頻段)
圖表89 2018年國際企業推出GaN射頻模塊產品(一)
圖表90 2018年國際企業推出GaN射頻模塊產品(二)
圖表91 2019年國際商業化的GaN RF HEMT器件性能
圖表92 2019年國際企業推出的GaN射頻產品
圖表93 2018年國際上已經商業化的Si基GaN HEMT電力電子器件性能
圖表94 2018年國際企業推出GaN電力電子器件產品(一)
圖表95 2018年國際企業推出GaN電力電子器件產品(二)
圖表96 2019年國際上已經商業化的GaN HEMT電力電子器件性能
圖表97 2019年部分主流GaN HEMT產品的導通電阻情況
圖表98 2019年國際企業推出的部分GaN HEMT電力電子產品
圖表99 2020年企業新推出的GaN HEMT產品
圖表100 激光雷達脈沖寬度對距離測量分辨率的影響
圖表101 Si和GaN器件驅動的激光雷達成像分辨率對比圖
圖表102 恒定電壓供電方式的典型波形
圖表103 包絡線跟隨供電方式的典型波形
圖表104 ET技術的原理框圖
圖表105 DBC方式的硅基器件的熱阻發展趨勢
圖表106 2020年GaN器件產品電壓范圍占比預測
圖表107 SiC生長爐爐體示意圖
圖表108 液相生長法熔具結構圖
圖表109 碳化硅單晶生長技術專利發展路線
圖表110 2019-2030年我國第三代半導體SiC材料關鍵技術發展路線表
圖表111 2016-2019年中國SiC襯底市場規模與增長
圖表112 2018年中國SiC襯底市場應用結構
圖表113 SiC襯底產品相關企業布局
圖表114 SiC外延產品相關企業布局
圖表115 SiC器件/模塊/IDM產品相關企業布局(一)
圖表116 SiC器件/模塊/IDM產品相關企業布局(二)
圖表117 英飛凌第三代半導體材料各技術分支專利主題布局
圖表118 碳化硅電力電子器件分類
圖表119 各國重要企業的SiC電子電力器件產品
圖表120 國際上已經商業化的SiC肖特基二極管的器件性能
圖表121 2018年國際企業推出的SiC二極管產品
圖表122 國際上已經商業化的SiC晶體管的器件性能
圖表123 2018年國際企業推出的SiC晶體管產品(一)
圖表124 2018年國際企業推出的SiC晶體管產品(二)
圖表125 2019年國際企業推出的部分SiC器件產品(SBD/MOSFET)
圖表126 2018年國際企業推出全SiC功率模塊產品(一)
圖表127 2018年國際企業推出全SiC功率模塊產品(二)
圖表128 2019年國際企業推出的部分SiC模塊產品
圖表129 2020年企業新推出的SiC SBD產品
圖表130 2020年企業新推出的SiC MOSFET產品
圖表131 2020-2048年SiC器件在電網應用的技術路線
圖表132 2020-2048年電力電子變壓器(PET)發展預測
圖表133 2020-2048年靈活交流輸電裝置(FACTS)發展預測
圖表134 2020-2048年光伏逆變器發展預測
圖表135 2020-2048年采用SiC器件的光伏逆變器市場占比預測
圖表136 2020-2048年固態開關發展預測
圖表137 2018-2050年各類別車輛規模的預測
圖表138 2018-2050年各類別應用裝置規模的預測
圖表139 2018-2050年應用裝置的功率密度預測
圖表140 2018-2050年應用裝置的工作效率預測
圖表141 2018-2050年各種電力電子器件的預測
圖表142 2018-2048年車載OBC和非車載充電樁的效率提升預測
圖表143 三電平拓撲
圖表144 2018-2048年車載和非車載的換流器開關頻率提升預測
圖表145 Si IGBT和SiC MOSFET控制器效率對比
圖表146 對車載和非車載的器件要求
圖表147 2018-2025年SiC器件的封裝預測
圖表148 2020-2048年電動汽車電機驅動采用SiC器件發展預測
圖表149 2020-2048年電動汽車無線充電設施采用SiC器件發展預測
圖表150 家用消費類電子產品的分類
圖表151 適配器電源產品的能效等級要求
圖表152 歐美主要國家強制實施的能效等級要求
圖表153 不同家用電子產品耗電量分布圖
圖表154 空調電氣控制系統應用框圖
圖表155 開通電壓/電流波形對比
圖表156 SiC混合功率模塊開關損耗對比
圖表157 2000-2030年功率模塊未來發展趨勢
圖表158 2020-2048年家用電器和消費類電子采用SiC功率模塊發展預測
圖表159 氮化鋁晶體結構及晶須
圖表160 氮化鋁陶瓷基板的性能優勢
圖表161 InGaZnO4晶體結構
圖表162 β-Ga2O3功率器件與其他主要半導體功率器件的理論性能極限
圖表163 金剛石結構
圖表164 金剛石與其他半導體材料特性對比
圖表165 2025第三代半導體材料發展目標
圖表166 2018-2020年全球SiC、GaN在電力電子器件的應用規模
圖表167 2017-2023年SiC vs GaN vs Si在電力電子領域滲透率情況
圖表168 2010-2019年中國半導體分立器件市場規模及增速
圖表169 2015-2024年中國SiC、GaN電力電子器件應用市場規模
圖表170 2019年中國SiC、GaN電力電子器件應用市場分布
圖表171 2017-2019年SiC SBD的平均價格
圖表172 2018-2019年不同制造商SiC SBD產品價格對比單位(元/A)
圖表173 2018-2019年SiC、GaN晶體管的平均價格
圖表174 2019年國外商業化的SiC晶體管價格
圖表175 2019年國外商業化的Si基GaN HEMT電力電子器件價格
圖表176 2015-2023年中國GaN射頻器件應用市場規模及預測
圖表177 2019年我國GaN射頻器件各細分市場規模占比
圖表178 2017-2023年全球GaN射頻器件需求量預測
圖表179 2017-2019年RF GaN HEMT的平均價格走勢
圖表180 2018-2020年地方LED照明產業政策匯總(一)
圖表181 2018-2020年地方LED照明產業政策匯總(二)
圖表182 2016-2019年中國LED半導體照明產業產值
圖表183 LED半導體照明產業鏈結構
圖表184 2019年中國LED半導體照明產業鏈產值規模分布
圖表185 2016-2019年中國LED半導體照明產業鏈上游外延芯片產值規模及增速
圖表186 2016-2019年中國LED半導體照明產業鏈中游封裝產值規模及增速
圖表187 2016-2019年中國LED半導體照明產業鏈下游應用產值規模及增速
圖表188 2019年中國半導體照明應用領域分布
圖表189 2014-2019年中國LED通用照明產值規模及增速
圖表190 2013-2019年中國半導體激光器市場規模及增長情況
圖表191 半導體激光器細分應用領域
圖表192 2019年全球5G建設進展
圖表193 2013-2020年中國新能源汽車產量及增速
圖表194 2013-2020年中國新能源汽車銷量及增速
圖表195 SiC在電動汽車中的應用
圖表196 搭載SiC功率模塊的全新豐田MIRAI與原MIRAI性能對比
圖表197 2019年車用第三代半導體領域的國際企業合作動態
圖表198 中國車載IGBT市場規模測算
圖表199 第三代半導體材料企業區域分布
圖表200 2019年國內第三代半導體集聚區建設進展(一)
圖表201 2019年國內第三代半導體集聚區建設進展(二)
圖表202 2019年國內第三代半導體集聚區建設進展(三)
圖表203 2016-2019年北京第三代半導體相關政策
圖表204 2014-2019年重慶第三代半導體相關政策
圖表205 2015-2019年江蘇第三代半導體相關政策
圖表206 2015-2019年福建第三代半導體相關政策
圖表207 2017-2020年三安光電股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表208 2017-2020年三安光電股份有限公司營業收入及增速
圖表209 2017-2020年三安光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表210 2019年三安光電股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表211 2019-2020年三安光電股份有限公司營業收入情況
圖表212 2017-2020年三安光電股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表213 2017-2020年三安光電股份有限公司凈資產收益率
圖表214 2017-2020年三安光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表215 2017-2020年三安光電股份有限公司資產負債率水平
圖表216 2017-2020年三安光電股份有限公司運營能力指標
圖表217 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表218 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司營業收入及增速
圖表219 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司凈利潤及增速
圖表220 2018-2019年北京賽微電子股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表221 2020年北京賽微電子股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表222 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表223 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司凈資產收益率
圖表224 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司短期償債能力指標
圖表225 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司資產負債率水平
圖表226 2017-2020年北京賽微電子股份有限公司運營能力指標
圖表227 2017-2020年華潤微電子有限公司總資產及凈資產規模
圖表228 2017-2020年華潤微電子有限公司營業收入及增速
圖表229 2017-2020年華潤微電子有限公司凈利潤及增速
圖表230 2019年華潤微電子有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表231 2019-2020年華潤微電子有限公司營業收入
圖表232 2017-2020年華潤微電子有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表233 2017-2020年華潤微電子有限公司凈資產收益率
圖表234 2017-2020年華潤微電子有限公司短期償債能力指標
圖表235 2017-2020年華潤微電子有限公司資產負債率水平
圖表236 2017-2020年華潤微電子有限公司運營能力指標
圖表237 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表238 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司營業收入及增速
圖表239 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司凈利潤及增速
圖表240 2018-2019年湖北臺基半導體股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表241 2020年湖北臺基半導體股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表242 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表243 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司凈資產收益率
圖表244 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司短期償債能力指標
圖表245 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司資產負債率水平
圖表246 2017-2020年湖北臺基半導體股份有限公司運營能力指標
圖表247 2017-2020年華燦光電股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表248 2017-2020年華燦光電股份有限公司營業收入及增速
圖表249 2017-2020年華燦光電股份有限公司凈利潤及增速
圖表250 2018-2019年華燦光電股份有限公司營業收入分行業、產品、地區
圖表251 2020年華燦光電股份有限公司主營業務分產品或服務
圖表252 2017-2020年華燦光電股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表253 2017-2020年華燦光電股份有限公司凈資產收益率
圖表254 2017-2020年華燦光電股份有限公司短期償債能力指標
圖表255 2017-2020年華燦光電股份有限公司資產負債率水平
圖表256 2017-2020年華燦光電股份有限公司運營能力指標
圖表257 2017-2020年聞泰科技股份有限公司總資產及凈資產規模
圖表258 2017-2020年聞泰科技股份有限公司營業收入及增速
圖表259 2017-2020年聞泰科技股份有限公司凈利潤及增速
圖表260 2019年聞泰科技股份有限公司主營業務分行業、產品、地區
圖表261 2019-2020年聞泰科技股份有限公司營業收入情況
圖表262 2017-2020年聞泰科技股份有限公司營業利潤及營業利潤率
圖表263 2017-2020年聞泰科技股份有限公司凈資產收益率
圖表264 2017-2020年聞泰科技股份有限公司短期償債能力指標
圖表265 2017-2020年聞泰科技股份有限公司資產負債率水平
圖表266 2017-2020年聞泰科技股份有限公司運營能力指標
圖表267 2017-2018年中車時代電氣綜合收益表
圖表268 2017-2018年中車時代電氣分部資料
圖表269 2017-2018年中車時代電氣收入分地區資料
圖表270 2018-2019年中車時代電氣綜合收益表
圖表271 2018-2019年中車時代電氣分部資料
圖表272 2018-2019年中車時代電氣收入分地區資料
圖表273 2019-2020年中車時代電氣綜合收益表
圖表274 2017-2019年SiC和GaN投資情況
圖表275 2015-2019年各區域項目投資分布情況
圖表276 《國民經濟和社會發展“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要》中集成電路發展內容
圖表277 2019年部分國際企業投資擴產情況
圖表278 2019年國內部分重點第三代半導體投資項目
圖表279 2020年國內部分重點第三代半導體投資項目
圖表280 2018年國際第三代半導體行業SiC和GaN領域并購情況(一)
圖表281 2018年國際第三代半導體行業SiC和GaN領域并購情況(二)
圖表282 2019年國際半導體企業并購情況
圖表283 2019年國內部分重點第三代半導體領域并購項目
圖表284 SiC SBD工藝流程圖
圖表285 SiC MOSFET工藝流程圖
圖表286 擬購置主要設備清單
圖表287 裝修及配套設施投入資金表
圖表288 軟件投資明細表
圖表289 項目投資預算表(一)
圖表290 項目投資預算表(二)
圖表291 項目計劃時間表
圖表292 經濟效益測算表
圖表293 2016-2030年中國第三代半導體產業發展預測
圖表294 第三代半導體產業處于最佳窗口期
圖表295 中投顧問對2021-2025年中國第三代半導體材料市場規模預測

第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,通常又被稱為寬禁帶半導體材料(禁帶寬度大于2.2ev),也稱為高溫半導體材料。第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表。

目前全球有超過30家公司在電力電子領域擁有對SiC、GaN相關產品的生產、設計、制造與銷售能力,2019年全球各廠家在售的各類SiC、GaN產品(含功率電子和微波射頻,不含LED)已經接近1300款,較2017年增加了6成,僅2019年就新增了321款新品。

中國第三代半導體正迎來發展的窗口期。根據第三代半導體產業技術創新戰略聯盟提供的數據,雙循環模式推動國產化替代,2020年中國SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵電力電子和微波射頻產值約為70億元。其中,中國的GaN微波射頻產業產值2020年達到33.75億元,比2019年的26.15億元將增長29.1%;SiC、GaN電力電子產業產值2020年達到約35.35億元,比2019年的29.03億元將增長21.8%。

區域方面,我國第三代半導體產業發展初步形成了京津冀、長三角、珠三角、閩三角、中西部五大重點發展區域,其中,長三角集聚效應凸顯,占從2015年下半年至2018年底投資總額的64%。此外,北京、深圳、廈門、泉州、蘇州等代表性城市正在加緊部署、多措并舉、有序推進。

2020年8月4日,國務院發布《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》(國發〔2020〕8號)。這是首次將集成電路產業排在軟件產業前面,顯示出國家對集成電路產業扶持的力度和決心。2021年3月12日,《中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》全文正式發布。在事關國家安全和發展全局的基礎核心領域,《綱要》提到制定實施戰略性科學計劃和科學工程。其中,集成電路攻關方面,《綱要》重點強調推進集成電路設計工具、中電裝備和高純靶材等關鍵材料研發、集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、微機電系統(MEMS)等特色工藝突破,先進存儲技術升級,碳化硅、氮化鎵等礦禁帶半導體發展。

我國第三代半導體技術和產業都取得較好進展,但在材料指標、器件性能等方面與國外先進水平仍存在一定差距,市場繼續被國際巨頭占據,國產化需求迫切。我國第三代半導體創新發展的時機已經成熟,處于重要窗口期。

中投產業研究院發布的《2021-2025年中國第三代半導體行業深度調研及投資前景預測報告》共十二章。首先介紹了第三代半導體行業的總體概況及全球行業發展形勢,接著分析了中國第三代半導體行業發展環境、市場總體發展狀況以及全國重要區域發展狀況。然后分別對第三代半導體產業的產業鏈相關行業、行業重點企業的經營狀況及行業項目案例投資進行了詳盡的透析。最后,報告對第三代半導體行業進行了投資分析并對行業未來發展前景進行了科學的預測。

本研究報告數據主要來自于國家統計局、商務部、工信部、中國海關總署、半導體行業協會、中投產業研究院、中投產業研究院市場調查中心以及國內外重點刊物等渠道,數據權威、詳實、豐富,同時通過專業的分析預測模型,對行業核心發展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對第三代半導體產業有個系統深入的了解、或者想投資第三代半導體產業,本報告將是您不可或缺的重要參考工具。

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