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2021-2025年中國化合物半導體產業投資分析及前景預測報告

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報告目錄內容概述 定制報告

第一章 化合物半導體相關介紹
1.1 半導體材料的種類介紹
1.1.1 材料定義及分類
1.1.2 第一代半導體
1.1.3 第二代半導體
1.1.4 第三代半導體
1.1.5 第四代半導體
1.2 化合物半導體相關概念
1.2.1 化合物半導體的定義
1.2.2 化合物半導體的分類
1.2.3 化合物半導體性能優勢
1.2.4 化合物半導體生產流程
第二章 2019-2021年中國半導體行業發展綜合分析
2.1 半導體產業鏈分析
2.1.1 半導體產業鏈構成
2.1.2 產業鏈上游分析
2.1.3 產業鏈中游分析
2.1.4 產業鏈下游分析
2.2 2019-2021年中國半導體市場分析
2.2.1 半導體產業發展歷程
2.2.2 半導體產業政策匯總
2.2.3 半導體產業銷售規模
2.2.4 半導體細分市場結構
2.2.5 半導體產業區域分布
2.2.6 半導體市場競爭格局
2.2.7 半導體市場需求規模
2.3 2019-2021年中國半導體材料發展狀況
2.3.1 半導體材料發展歷程
2.3.2 半導體材料市場規模
2.3.3 半導體材料競爭格局
2.3.4 半導體材料發展現狀
2.3.5 半導體材料驅動因素
2.3.6 半導體材料制約因素
2.3.7 半導體材料發展趨勢
2.4 2019-2021年第三代半導體發展深度分析
2.4.1 第三代半導體發展歷程
2.4.2 第三代半導體利好政策
2.4.3 第三代半導體發展現狀
2.4.4 第三代半導體產能狀況
2.4.5 第三代半導體投資規模
2.4.6 第三代半導體競爭格局
2.4.7 第三代半導體規模預測
第三章 2019-2021年中國化合物半導體發展解析
3.1 全球化合物半導體發展狀況
3.1.1 市場發展規模
3.1.2 行業發展現狀
3.1.3 市場競爭格局
3.1.4 主要應用領域
3.1.5 英國發展優勢
3.2 中國化合物半導體發展環境分析
3.2.1 疫情對行業的影響分析
3.2.2 化合物半導體產業政策
3.2.3 化合物半導體地方政策
3.2.4 化合物半導體技術發展
3.2.5 化合物半導體行業地位
3.3 2019-2021年中國化合物半導體市場分析
3.3.1 市場規模分析
3.3.2 市場競爭格局
3.3.3 產品供應狀況
3.3.4 產品價格分析
3.3.5 國內廠商機遇
3.3.6 投資項目匯總
3.4 中國化合物半導體代工業務分析
3.4.1 化合物半導體代工業務需求
3.4.2 化合物半導體代工企業動態
3.4.3 第二代化合物半導體代工
第四章 中國化合物半導體之砷化鎵(GaAs)發展分析
4.1 砷化鎵(GaAs)產業鏈分析
4.1.1 GaAs產業鏈構成分析
4.1.2 GaAs材料特征與優勢
4.1.3 GaAs制備工藝流程
4.1.4 中國GaAs產業鏈廠商
4.2 中國砷化鎵(GaAs)發展現狀分析
4.2.1 GaAs市場規模分析
4.2.2 GaAs市場競爭格局
4.2.3 產業鏈企業競爭優勢
4.2.4 GaAs技術發展現狀
4.2.5 GaAs代工業務現狀
4.3 砷化鎵(GaAs)應用領域分析
4.3.1 GaAs應用市場結構
4.3.2 GaAs下游主要廠商
4.3.3 GaAs射頻領域應用
4.3.4 GaAs光電子領域應用
第五章 中國化合物半導體之氮化鎵(GaN)發展分析
5.1 氮化鎵(GaN)產業鏈發展分析
5.1.1 GaN材料特征與優勢
5.1.2 GaN產業鏈結構分析
5.1.3 GaN技術成熟度曲線
5.2 中國氮化鎵(GaN)市場運行分析
5.2.1 GaN元件市場規模狀況
5.2.2 GaN市場產能布局動態
5.2.3 GaN市場價格變動分析
5.2.4 GaN市場競爭格局分析
5.2.5 GaN射頻器件市場規模
5.2.6 GaN微波射頻產值狀況
5.2.7 GaN功率半導體市場規模
5.3 氮化鎵(GaN)應用領域分析
5.3.1 GaN應用市場結構
5.3.2 GaN射頻領域應用
5.3.3 GaN 5G宏基站應用
5.3.4 GaN軍用雷達領域應用
5.3.5 GaN快充充電器應用
第六章 中國化合物半導體之碳化硅(SiC)發展分析
6.1 中國碳化硅(SiC)發展綜述
6.1.1 SiC材料特征與優勢
6.1.2 SiC產業鏈結構分析
6.1.3 SiC關鍵原材料分析
6.1.4 SiC市場規模分析
6.1.5 SiC市場競爭格局
6.1.6 SiC市場參與主體
6.1.7 SiC晶片發展分析
6.1.8 SiC晶圓供需狀況
6.2 中國碳化硅(SiC)功率半導體市場分析
6.2.1 SiC功率半導體發展歷程
6.2.2 SiC與Si半導體對比分析
6.2.3 SiC功率半導體市場規模
6.2.4 SiC功率半導體需求狀況
6.2.5 SiC功率器件產業發展現狀
6.2.6 SiC功率器件關鍵核心技術
6.2.7 SiC功率器件市場規模預測
6.3 碳化硅(SiC)應用領域分析
6.3.1 SiC下游主要應用場景
6.3.2 SiC新能源汽車領域應用
6.3.3 SiC充電樁領域應用
第七章 中國化合物半導體之磷化銦(InP)發展分析
7.1 磷化銦(InP)材料特征與優勢分析
7.1.1 InP半導體電學性能突出
7.1.2 InP材料光電領域應用占優
7.1.3 InP單晶制備技術壁壘高
7.2 磷化銦(InP)光通信產業鏈分析
7.2.1 InP光通信產業鏈
7.2.2 上游襯底公司
7.2.3 中游器件公司
7.2.4 下游云廠商
7.3 磷化銦(InP)應用市場分析
7.3.1 InP在光模塊中的應用
7.3.2 InP應用市場規模占比
7.3.3 InP應用市場規模預測
第八章 中國化合物半導體應用領域分析
8.1 電力電子行業
8.1.1 電力電子應用市場結構
8.1.2 電力電子產業規模分析
8.1.3 電力電子應用現狀分析
8.2 5G行業
8.2.1 5G手機應用前景分析
8.2.2 功率放大器應用狀況
8.2.3 化合物半導體需求分析
8.2.4 第三代化合物半導體應用
8.3 新能源汽車行業
8.3.1 新能源汽車銷量狀況
8.3.2 電動汽車半導體用量
8.3.3 汽車用功率器件需求
8.3.4 化合物半導體需求前景
8.4 光電行業
8.4.1 光模塊市場規模
8.4.2 數通光模塊需求分析
8.4.3 5G光模塊需求分析
8.4.4 在LED中的應用狀況
第九章 2017-2020年中國化合物半導體重點企業經營分析
9.1 三安光電
9.1.1 企業發展概況
9.1.2 企業布局動態
9.1.3 經營效益分析
9.1.4 業務經營分析
9.1.5 財務狀況分析
9.1.6 核心競爭力分析
9.1.7 公司發展戰略
9.1.8 未來前景展望
9.2 揚杰科技
9.2.1 企業發展概況
9.2.2 經營效益分析
9.2.3 業務經營分析
9.2.4 財務狀況分析
9.2.5 核心競爭力分析
9.2.6 公司發展戰略
9.2.7 未來前景展望
9.3 穩懋半導體
9.3.1 企業發展歷程
9.3.2 業務布局分析
9.3.3 企業經營狀況
9.3.4 5G手機PA市占率
9.3.5 核心競爭力分析
9.4 華潤微
9.4.1 企業發展概況
9.4.2 經營效益分析
9.4.3 業務經營分析
9.4.4 財務狀況分析
9.4.5 核心競爭力分析
9.4.6 公司發展戰略
9.4.7 未來前景展望
9.5 海特高新
9.5.1 企業發展概況
9.5.2 經營效益分析
9.5.3 業務經營分析
9.5.4 財務狀況分析
9.5.5 核心競爭力分析
9.5.6 公司發展戰略
9.5.7 未來前景展望
第十章 2021-2025年中國化合物半導體投資前景及趨勢分析
10.1 中國半導體行業發展趨勢及前景
10.1.1 半導體行業融資規模
10.1.2 半導體行業投資現狀
10.1.3 半導體行業投資機遇
10.1.4 半導體行業發展趨勢
10.1.5 半導體行業發展前景
10.2 中國化合物半導體發展前景分析
10.2.1 化合物半導體投資機遇
10.2.2 化合物半導體需求前景
10.2.3 化合物半導體發展趨勢
10.3 中投顧問對2021-2025年中國化合物半導體行業預測分析
10.3.1 2021-2025年化合物半導體影響因素分析
10.3.2 2021-2025年中國化合物半導體市場規模預測

圖表目錄

常用的半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。元素半導體是由單一元素制成的半導體材料。主要有硅、鍺、硒等,以硅、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體;衔锇雽w是由兩種或多種元素化合而成、并具有半導體性質的材料,主要包括第二代半導體材料GaAs以及第三代半導體材料SiC、GaN等。

化合物半導體產業鏈可主要分為晶圓制備、芯片設計、芯片制造以及芯片封測等環節,其中晶圓制備進一步細分為襯底制備和外延片制備兩部分。當前,化合物半導體產業多以IDM模式為主,即單一廠商縱向覆蓋芯片設計、芯片制造、到封裝測試等多個環節。然而,隨著襯底和器件制造技術的成熟和標準化,以及器件設計價值的提升,器件設計與制造分工的趨勢日益明顯。

2019年,我國SiC、GaN電力子和微波射頻產值(供給)超過60億元。2019年我國SiC、GaN電力子產值規模達26億元,同比增長84%。2019年各廠家在售的各類SiC/GaN產品種類較2017年增加了6成,僅2019年就新增了321款新品。SiC電力電子器件已覆蓋大部分應用需求,功率模塊新品推出加速,2019年推出模塊新品數量占新品總數一半以上;GaN功率器件性能逐步提升,射頻器件供應上量。全球化合物半導體市場在2020-2024年的預測期間內,預計將以6%的年復合成長率推移,并成長到117億4000萬美元的規模。

2019年12月,國家級戰略《長江三角洲區域一體化發展規劃綱要》明確要求加快培育布局第三代半導體產業,推動制造業高質量發展。2020年7月,《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》指出國家鼓勵的集成電路設計、裝備、材料、封裝、測試企業和軟件企業,自獲利年度起,第一年至第二年免征企業所得稅,第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業所得稅。2020年,我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業,寫入正在制定中的“十四五”規劃。

2019年,國內化合物半導體產業投資熱度居高不下。SiC投資14起,涉及金額220.8億元;GaN投資3起,涉及金額45億元。全年已披露的投資擴產金額達到265.8億元(不含光電),較2018年同比增長60%。

中投產業研究院發布的《2021-2025年中國化合物半導體產業投資分析及前景預測報告》共十章。首先介紹了化合物半導體的定義、分類等內容,接著分析了半導體行業的發展現狀、第三代半導體產業狀況和國內外化合物半導體產業的現狀,并具體介紹了砷化鎵、氮化鎵、碳化硅及磷化銦等細分市場的發展。隨后,報告對化合物半導體產業做了應用領域分析、重點企業經營狀況分析,最后分析了化合物半導體產業的投資價值、發展趨勢和未來發展前景。

本研究報告數據主要來自于國家統計局、半導體行業協會、工信部、科技部、中投產業研究院產業研究中心、中投產業研究院市場調查中心以及國內外重點刊物等渠道,數據權威、詳實、豐富,同時通過專業的分析預測模型,對行業核心發展指標進行科學地預測。您或貴單位若想對化合物半導體產業有個系統的了解或者想投資化合物半導體相關行業,本報告是您不可或缺的重要工具。

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